基本介绍
纳米晶磁芯广泛用于开关电源、逆变器、EMC 滤波等领域，可有效抑制电流快速变化引起的尖峰噪声。尖峰抑制器通常由磁芯绕制一匝或少数几匝铜线制成，结构与安装都很简单，但对尖峰噪声的抑制非常有效。
高矩形比纳米晶磁芯损耗极低、磁导率很高，在电流很小时电感极大。这一大电感可有效阻断二极管产生的反向复位电流。该材料还能在很小电流下迅速进入饱和。
应用示意如下（红色为尖峰抑制器）：
功能与基本工作原理
图 3 为纳米晶磁芯材料的磁滞回线。尖峰抑制器的工作过程如下：到达点 1 之前（电流导通时），磁芯处于饱和，电感极低。电流关断后，工作点到达剩磁点 2。二极管反向恢复使电流继续向小于零的方向减小。此时非晶/纳米晶材料磁导率很高、电感很大，因而能有效抑制二极管尖峰电流（图 2 为抑制后的电流）。IR 为理论反向电流峰值，对应理论工作点 3；但由于尖峰抑制器电感很大，磁芯无法到达点 3，而停留在反向剩磁点 4，随后再被磁化，进入下一周期。
基本设计参数与计算公式
以电压计算为例：
U = dφ / dt
两边积分：∫U dt = ∫ dφ
φ = N · B · S
N：匝数 B：磁通密度（本式中 B = Br） S：磁芯有效截面积
由公式可知，点 2–3–4 所围面积等于抑制浪涌所需的磁芯磁通，因此需满足：
N · Br · S > ∫U dt
设计时应注意：纳米晶磁芯连续工作温度不得超过 150 ℃。精确计算主要取决于二极管反向恢复时间 tr 的正确取值，它受工作温度与 di/dt 影响；di/dt 则由线路电感（含尖峰抑制器的可变电感）决定。
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